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寻找和开发新型沟道半导体材料，个男如近年来兴起的二维材料，个男进而延续摩尔定律或构建新原理器件，是凝聚态物理、材料科学和电子器件领域的前沿课题和一大研究重点。当前，有样演由于受到短沟道效应等物理规律和制造成本的限制，有样演CMOS（互补金属氧化物半导体）技术有可能达到极限，这也预示着摩尔定律的步伐可能会减慢或终结。

由于材料晶粒之间的晶界将造成电子散射，个男同时考虑到半导体工业通常以晶圆级材料为基础进行加工和应用，个男故大面积单晶材料的生长制备尤为重要，而如何控制制备大尺寸Bi2O2Se单晶就显得尤为关键。研究者还发现基于Bi2O2Se的光电探测器显示出优异的光响应度（2.2x104 AW-1）、有样演探测率（3.4x1015 Jones）和开/关比（~109），有样演是迄今为止报道的Bi2O2Se和其他二维材料光电晶体管的最好性能之一，表明物理气相沉积法制备的毫米级二维Bi2O2Se材料在光电器件中具有良好的应用前景。其中生长基底与Bi2O2Se的晶格匹配适中，个男能够自限制外延生长二维原子晶体，进而制备出2毫米尺寸的单层和少层二维Bi2O2Se单晶。

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【成果简介】为解决上述难题，个男清华大学清华-伯克利深圳学院(TBSI)成会明、个男刘碧录团队发展了一种物理气相沉积自限制外延法生长毫米级二维Bi2O2Se单晶。哈哈，有样演真是一只逗比猫。

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